光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家

美NANO-MASTER  RTP快速退火爐
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式全自動(dòng)rtp系統(tǒng)nrt-4000 獨(dú)立式大批量rtp系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2025-09-03
美NANO-MASTER  SWC單晶圓清洗系統(tǒng)
美nano-master swc單晶圓清洗系統(tǒng)swc-3000 臺(tái)式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-5000 帶25片cassette 機(jī)械手自動(dòng)清洗nrt-4000 獨(dú)
更新時(shí)間:2025-09-03
美Nano-master 大基片清洗機(jī)
美nano-master 大基片清洗機(jī) large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨(dú)立式清洗機(jī),使用計(jì)算機(jī)控制,大可支持外徑21”的基片。
更新時(shí)間:2025-09-03
韓國(guó)Ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
韓國(guó)ecopia 全自動(dòng)變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 hms-5300lth,溫度范圍:80k-573k,測(cè)量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導(dǎo)體薄膜(p 型和 n 型);
更新時(shí)間:2025-09-03
英國(guó)Quorum鍍金鍍碳一體機(jī)
英國(guó)quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機(jī),是一款優(yōu)化設(shè)計(jì)的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設(shè)備,真空度可達(dá)5x10-5mbar?梢詾R射具有超細(xì)成膜顆粒的易氧化金屬,適用于高分辨率成像。同樣地,低散射可得到均勻而致密的無(wú)定形碳膜。
更新時(shí)間:2025-09-03
SUSS光刻機(jī)用曝光燈HBO系列
suss蘇斯/休斯,evg, oai等系列光刻機(jī)用曝光燈hbo系列,suss蘇斯,evg, oai公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)用光刻機(jī),目得到業(yè)界的廣泛認(rèn)同,該系列光刻機(jī)曝光系統(tǒng)的曝光燈,主要是由德國(guó)歐司朗及日本牛尾公司生產(chǎn)的曝光燈進(jìn)行配套供應(yīng)。歐司朗/牛尾曝光燈系列,具備良好的光通量,穩(wěn)定的光強(qiáng)度以及優(yōu)質(zhì)的品質(zhì)受到業(yè)界的青睞。
更新時(shí)間:2025-09-03
ADLEMA檢漏機(jī)
adlema先進(jìn)的檢漏機(jī)bt4000技 術(shù) 規(guī) 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó)KLA 原位高溫納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng),納米壓痕儀
美國(guó)kla insem ht原位高溫納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng),納米壓痕儀,樣品加溫可達(dá)800 ℃,樣品尺寸可達(dá)10mm,裝樣系統(tǒng)與真空環(huán)境兼容
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外光刻機(jī)
ure-2000/34al型光刻機(jī),曝光分辨率: 0.8μm-1μm ,套準(zhǔn)精度:±0.8-1μm
更新時(shí)間:2025-09-03
德國(guó)YXLON多用途高分辨率CT系統(tǒng)
德國(guó)yxlon多用途高分辨率ct系統(tǒng)ff35 ct,微焦點(diǎn)、納米焦點(diǎn)雙射線 源配置,大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置,可大限度提高 ct 應(yīng)用 多功能性
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó)Trion批量生產(chǎn)用設(shè)備去膠系統(tǒng)
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統(tǒng)· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統(tǒng),通過(guò)全方位的設(shè)計(jì)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)便的操作,更快的刻寫(xiě)速度,更小的占地面積和安裝空間,并且更加綠色節(jié)能。
更新時(shí)間:2025-09-03
英國(guó)Nanobean 電子束光刻機(jī)
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-09-03
美Coherent 準(zhǔn)分子激光器
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-09-03
英國(guó) Durham 無(wú)掩膜光刻機(jī)
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng),擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚,從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作,非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 光功率計(jì)
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 型UV光源
30型uv光源是高效的,可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上,以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸,最大24英寸平方,輸出光譜范圍從220 nm到450 nm,使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ。輸出功率范圍?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過(guò)濾器組件,使用戶能夠輕松定制輸出光譜?蛇x配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 實(shí)驗(yàn)室用手動(dòng)曝光機(jī)
oai 200型光刻機(jī)是一種具有成本效益的高性能掩模對(duì)準(zhǔn)器,采用經(jīng)過(guò)行業(yè)驗(yàn)證的組件,使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺(tái)式面罩對(duì)準(zhǔn)器,需要小的潔凈室空間。它為研發(fā),或有限規(guī)模,試點(diǎn)生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤(pán)調(diào)平系統(tǒng),襯底快速平穩(wěn)地平整,用于平行光掩模對(duì)準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度。
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片,該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn),從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 自動(dòng)化邊緣曝光系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片,該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn),從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 邊緣曝光系統(tǒng)
兩種型號(hào)的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源,強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0%的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源,用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的,并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 光刻機(jī)
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能,全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)器和曝光工具,可為大型平板應(yīng)用提供超精密,頂,亞微米對(duì)準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材(圓形或方形)上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近,中,或深紫外范圍的光刻膠,并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明,在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2025-09-03
德國(guó)Eulitha 高分辨紫外光刻系統(tǒng)
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng),但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類(lèi)似,涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面,被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù),在"phable"模式下,分辨率不再受到衍射的限制,從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵(六角形和正方形),且曝光結(jié)果非常均勻,質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2025-09-03
瑞士 NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu),可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性,提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度,即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-09-03
德國(guó) Raith  150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu),可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性,提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度,即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-09-03
德國(guó)Raith Voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī)
德國(guó)raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo),可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩,即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性,提高系統(tǒng)對(duì)外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2025-09-03
德國(guó)Raith   電子束光刻機(jī)
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái),采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì),對(duì)電子束直寫(xiě)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2025-09-03
德Raith 電子束光刻機(jī)
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái),運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm,xy方向定位精度為2nm,可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻,拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號(hào):ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī),對(duì)準(zhǔn)精度:±2 mm(雙面,片厚 0.8mm),±0.8mm(單面)
更新時(shí)間:2025-09-03
URE-2000B 型紫外單面光刻機(jī)
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積:100mmx100mm,分辨力:0.8μm(膠厚 2μm 的正膠)
更新時(shí)間:2025-09-03
URE-2000/600 紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī),光束口徑: 650mm×650mm,對(duì)準(zhǔn)精度: ±1.5μm
更新時(shí)間:2025-09-03
無(wú)掩膜單面光刻機(jī)
ds-2000/14k 無(wú)掩膜單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模,像素?cái)?shù) 1024×768,采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2025-09-03
型無(wú)掩模單面光刻機(jī)
ds-2000/14g 型無(wú)掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模,像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像,分辨力 1um。
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,全自動(dòng))和高校教學(xué)科研(可靠性好,演示方便)采用自動(dòng)找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進(jìn)口(德國(guó))直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非?煽,自動(dòng)化程度很高,操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動(dòng)化程度高)和高校教學(xué)科研(可靠性好,演示方便)采用自動(dòng)找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進(jìn)口(德國(guó))直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非常可靠,自動(dòng)化程度很高,操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積:100mm×100mm;分辨力:1.0 μm(膠厚 2.0 μm 的正膠,365nm 波長(zhǎng))
更新時(shí)間:2025-09-03
型紫外單面光刻機(jī)(臺(tái)式)
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)(臺(tái)式),曝光面積:4 英寸,分辨力:1.5μm(膠厚 2 m 的正膠),對(duì)準(zhǔn)精度:±1μm
更新時(shí)間:2025-09-03
型紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積:4 英寸,分辨力:1 μm(膠厚 2 μm的正膠),對(duì)準(zhǔn)精度:± 0.8μm
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外雙面光刻機(jī)型紫外單面光刻機(jī)
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:6 英寸,分辨力:1 μm
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:4 英寸,正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué)大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:6 英寸,對(duì)準(zhǔn)精度:± 2μm (雙面,片厚 0.8mm),± 0.8μm (單面)
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積:8 英寸, 曝光波長(zhǎng):365nm: 15mw/cm,405nm:15-30mw/cm2, 對(duì)準(zhǔn)精度:±2 μm (雙面,片厚 0.8mm)±0.8 μm (單面)
更新時(shí)間:2025-09-03
雙面光刻機(jī)
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī),曝光面積:4 英寸(或 6 英寸),正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué)大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s/35l(a)型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積:6 英寸,正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué)大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
雙面光刻機(jī)
ure-2000s/35l(b)型雙面光刻機(jī), 曝光面積:4 英寸, 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡:既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn),也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn),光學(xué)合像,光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍,光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場(chǎng)顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對(duì)準(zhǔn)過(guò)程,并提供 usb 輸出;既滿足高精度對(duì)準(zhǔn),又可用于檢測(cè)曝光結(jié)果,且曝光結(jié)果和方便存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2025-09-03
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積:150mm×150mm;分辨力:1.0μm(365nm 波長(zhǎng)),對(duì)準(zhǔn)精度:≤±0.8μm
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) OAI 光刻機(jī) Model  200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)
美國(guó) oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng),完全手工操作,輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線,hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó)OAI紫外光刻機(jī)
oai model 212型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó)OAI掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
oai model 800e 型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm), i(365nm)和310nm線,hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2025-09-03

最新產(chǎn)品

熱門(mén)儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見(jiàn)分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)(PH計(jì)) 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑