光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
美國(guó)kla insem ht原位高溫納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，納米壓痕儀，樣品加溫可達(dá)800 ℃，樣品尺寸可達(dá)10mm，裝樣系統(tǒng)與真空環(huán)境兼容
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/34al型光刻機(jī)，曝光分辨率： 0.8μm-1μm ，套準(zhǔn)精度：±0.8-1μm
更新時(shí)間:2025-09-03
德國(guó)yxlon多用途高分辨率ct系統(tǒng)ff35 ct,微焦點(diǎn)、納米焦點(diǎn)雙射線 源配置，大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置，可大限度提高 ct 應(yīng)用 多功能性
更新時(shí)間:2025-09-03
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統(tǒng)· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統(tǒng)，通過(guò)全方位的設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)便的操作，更快的刻寫(xiě)速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節(jié)能。
更新時(shí)間:2025-09-03
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-09-03
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-09-03
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-09-03
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時(shí)間:2025-09-03
30型uv光源是高效的，可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ］敵龉β史秶鷱?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過(guò)濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜。可選配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時(shí)間:2025-09-03
oai 200型光刻機(jī)是一種具有成本效益的高性能掩模對(duì)準(zhǔn)器，采用經(jīng)過(guò)行業(yè)驗(yàn)證的組件，使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺(tái)式面罩對(duì)準(zhǔn)器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點(diǎn)生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤(pán)調(diào)平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對(duì)準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度。
更新時(shí)間:2025-09-03
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-09-03
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
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兩種型號(hào)的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2025-09-03
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能，全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對(duì)準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2025-09-03
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類(lèi)似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2025-09-03
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-09-03
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
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德國(guó)raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對(duì)外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2025-09-03
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對(duì)電子束直寫(xiě)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2025-09-03
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái)，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號(hào)：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī)，對(duì)準(zhǔn)精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī)，光束口徑： 650mm×650mm，對(duì)準(zhǔn)精度： ±1.5μm
更新時(shí)間:2025-09-03
ds-2000/14k 無(wú)掩膜單面光刻機(jī)，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2025-09-03
ds-2000/14g 型無(wú)掩模單面光刻機(jī),采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機(jī),,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動(dòng)）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動(dòng)找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動(dòng)分離對(duì)準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進(jìn)口（德國(guó)）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動(dòng)化程度很高，操作十分方便。
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長(zhǎng)）
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/17 型紫外單面光刻機(jī)（臺(tái)式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：±1μm
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/25 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對(duì)準(zhǔn)精度：± 0.8μm
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s/25a 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，分辨力：1 μm
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機(jī),曝光面積：6 英寸，對(duì)準(zhǔn)精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機(jī), 曝光面積：8 英寸, 曝光波長(zhǎng)：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對(duì)準(zhǔn)精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s/25s 型雙面光刻機(jī)，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機(jī)，曝光面積：6 英寸，正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機(jī), 曝光面積：4 英寸, 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡：既可通過(guò)目鏡目視對(duì)準(zhǔn)，也可通過(guò) ccd+顯示器對(duì)準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué) 大倍數(shù) 400 倍，光學(xué)+電子放大 800 倍
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/30 型紫外單面光刻機(jī),高倍率雙目雙視場(chǎng)顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時(shí)觀察對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對(duì)準(zhǔn)，又可用于檢測(cè)曝光結(jié)果，且曝光結(jié)果和方便存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2025-09-03
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機(jī),曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長(zhǎng)）,對(duì)準(zhǔn)精度：≤±0.8μm
更新時(shí)間:2025-09-03
美國(guó) oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2025-09-03
oai model 212型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2025-09-03
oai model 800e 型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2025-09-03
oai 掩膜光刻機(jī) model 6000型，高吞吐量180 wph，靈活處理基板從2“平方到12”平方
更新時(shí)間:2025-09-03
oai的面板掩模光刻機(jī) model 6020s, 用于foplp型號(hào)6020s -半自動(dòng)化或自動(dòng)化,實(shí)現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時(shí)間:2025-09-03
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過(guò)加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對(duì)于硅的化合物也可以通過(guò)反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時(shí)間:2025-09-03
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學(xué)研究進(jìn)入更高階段,同時(shí)具有高的性能、靈活性、可信度、實(shí)用性和速度；诤Ｋ紕(chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新，它為納米力學(xué)表征帶來(lái)了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達(dá)到了臺(tái)優(yōu)異納米力學(xué)測(cè)試儀
更新時(shí)間:2025-09-03
echo pro 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤(pán)和框架直接掃瞄, 編程自動(dòng)判別缺陷, 高產(chǎn)量,無(wú)需人員重復(fù)設(shè)置, 自動(dòng)烘干.
更新時(shí)間:2025-09-03
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫(xiě)機(jī)els-f125，是elionix推出的上臺(tái)加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時(shí)間:2025-09-03
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時(shí)間:2025-09-03
最新產(chǎn)品
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