光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對(duì)準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡(jiǎn)便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門(mén)的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實(shí)驗(yàn)和小批量生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-07-02
奧地利evg鍵合機(jī)：evg510，是一款半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動(dòng)工藝處理過(guò)程，并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計(jì)可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配，可以方便的實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時(shí)間:2025-07-02
evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is，配備了evg公司的利吸盤(pán)設(shè)計(jì)---這種吸盤(pán)可以提供對(duì)稱(chēng)的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢(shì)特性，如獨(dú)立的上下盤(pán)加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-07-02
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動(dòng)也可以為全自動(dòng)形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對(duì)準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時(shí)間:2025-07-02
ne-550z是高真空l(shuí)oad-lock式干法等離子刻蝕裝置，適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時(shí)間:2025-07-02
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時(shí)間:2025-07-02
美國(guó)neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時(shí)間:2025-07-02
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
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法國(guó)annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備，適用于硅，化合物半導(dǎo)體，太陽(yáng)能電池& mems.
更新時(shí)間:2025-07-02
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫(xiě)機(jī)els-f125，是elionix推出的上臺(tái)加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時(shí)間:2025-07-02
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時(shí)間:2025-07-02
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學(xué)的肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒(méi)式物鏡、擁有超高分辨率的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無(wú)掩模光刻機(jī)
更新時(shí)間:2025-07-02
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟(jì)效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫(xiě)模塊，實(shí)現(xiàn)不同精度直寫(xiě)需求, 能于結(jié)構(gòu)上進(jìn)行灰度曝光
更新時(shí)間:2025-07-02
德國(guó)海德堡 heidelberg 激光直寫(xiě)光刻機(jī) mla150,德國(guó)高精密激光直寫(xiě)繪圖機(jī),非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時(shí)間:2025-07-02
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。
更新時(shí)間:2025-07-02
德國(guó)leica em txp全新精研一體機(jī)，是一款獨(dú)特的可對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對(duì)樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對(duì)目標(biāo)精細(xì)定位或需對(duì)肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點(diǎn)處理。
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keyence 基恩士 形狀測(cè)量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺(tái)即可完成測(cè)量。292 種分析工具，一臺(tái)即可了解希望獲取的信息。一臺(tái)即包含了光學(xué)顯微鏡，臺(tái)階儀，光學(xué)輪廓儀，及電鏡功能。
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng)，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計(jì)，可以裝配各種源爐，實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長(zhǎng)。
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德國(guó)unitemp真空快速退火爐rtp-150, 單晶圓，150mm，快升溫速率可達(dá)150k/s
更新時(shí)間:2025-07-02
evg的hercules nil 300 mm是一個(gè)完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺(tái)，在單個(gè)平臺(tái)上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓印（nil）模塊結(jié)合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
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evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動(dòng)納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時(shí)間:2025-07-02
液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-07-02
美國(guó) lakeshore 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學(xué)，更高效
更新時(shí)間:2025-07-02
德國(guó)yxlon 定制化的標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cheetah evo，為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制、
更新時(shí)間:2025-07-02
德國(guó)yxlon 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cougar evo ，為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制
更新時(shí)間:2025-07-02
韓ecopia 變溫光霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 hms-7000，可以通過(guò)改變照射在樣品上的不同波長(zhǎng)范圍的光源（紅、綠、藍(lán)光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等半導(dǎo)體電學(xué)重要參數(shù)隨光源強(qiáng)度變化的曲線。
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion光遮蔽粒子計(jì)數(shù)器 kl-05,（光滲透法），可測(cè)試粒徑范圍：1~20個(gè)通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個(gè)通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22b ( 光散射法）,液體粒子計(jì)數(shù)器，可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器kc-31 ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（6個(gè)通道）,大粒子數(shù)濃度：28000000 顆/l
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-32 ( 光散射法）測(cè)試粒徑（6個(gè)通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-20a ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥10μm， ≥20μm ， ≥30μm ， ≥50μm， ≥100μm
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：ka-05( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器,測(cè)試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.5μm ， ≥5.0μm
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rio液體粒子計(jì)數(shù)器ke-18fx ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（4個(gè)通道）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm，
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個(gè)通道，出廠默認(rèn)）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，工廠標(biāo)配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30a ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30b ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個(gè)通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2025-07-02
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2025-07-02
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對(duì)玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2025-07-02
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對(duì)準(zhǔn)精度,旨在大大超過(guò)任何紅外背后對(duì)準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2025-07-02
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫(xiě)機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫(xiě)機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫(xiě)工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2025-07-02
nanoarch科研3d打印機(jī)m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動(dòng)化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時(shí)打印4種樹(shù)脂基復(fù)合材料進(jìn)行層間或?qū)觾?nèi)多材料3d打印，適用于基礎(chǔ)理論驗(yàn)證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。其主要應(yīng)用在點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)材料、功能梯度材料、超材料、復(fù)合材料、復(fù)雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時(shí)間:2025-07-02
nanoarch微納3d打印機(jī) p130/s130 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-07-02
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