探測(cè)器產(chǎn)品及廠家
簡(jiǎn)單介紹電平振蕩器(便攜式)：便攜式,300hz-620khz(1700khz)液晶數(shù)顯,便攜式 ， 0db(+10db)～-50db(每檔10db)
更新時(shí)間:2025-07-10
200hz-620khz。jh5064系列電平振蕩器是采用數(shù)字技術(shù)的精密儀器，具有功率電平和電壓電平兩種輸出功能，它與jh5014系列選頻電平表配套使用，適用于載波通訊系統(tǒng)的多種重要參數(shù)測(cè)試，其中100ω阻抗專為電力部門設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-07-10
智能金屬探測(cè)器實(shí)現(xiàn)了金屬檢測(cè)技術(shù)的全數(shù)字化和智能化，操作使用高度智能化，性能不凡，簡(jiǎn)單易用，較大地提高了生產(chǎn)效率；同時(shí)，該設(shè)備還采用了相位調(diào)節(jié)等諸多的新技術(shù)、新方法，有效解決了“產(chǎn)品效應(yīng)”等普遍存在的問題。
更新時(shí)間:2025-07-10
美國(guó)weber-captor公司生產(chǎn)的熱金屬檢測(cè)器是鋼 業(yè)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。它先進(jìn)的紅外線技術(shù)和設(shè)計(jì)理念順應(yīng)了鋼鐵制造，熱處理及玻璃制造業(yè)中復(fù)雜的工業(yè)系統(tǒng)要求。憑借了25年多的經(jīng)驗(yàn)，weber熱金屬檢測(cè)器能在嚴(yán)酷的環(huán)境中保證高精度，高穩(wěn)定，長(zhǎng)壽命以及高可靠性，并且不用維修，可以滿足艱苦，高負(fù)荷的工業(yè)生產(chǎn)要求。上海祥樹歐茂機(jī)電設(shè)備有限公司為weber中國(guó)授權(quán)代理。
更新時(shí)間:2025-07-10
afb1212sh 原裝 delta/臺(tái)達(dá)12025 12cm滾珠4線溫控12v 0.80a風(fēng)扇
更新時(shí)間:2025-07-10
供應(yīng)：`megafabs`mega-fabs` servo amplifier驅(qū)動(dòng)器md-36-s2 /→d1-36-s2
更新時(shí)間:2025-07-10
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div>
更新時(shí)間:2025-07-10
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號(hào)的解調(diào)和誤差信號(hào)的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對(duì)相位。通過這種方式，能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調(diào)制/解調(diào)頻率通常設(shè)定在1 mhz到80 mhz之間，具體根據(jù)客戶需求。
更新時(shí)間:2025-07-10
8mm光敏面直徑，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜25ns，to8封裝
更新時(shí)間:2025-07-10
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div>
更新時(shí)間:2025-07-10
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div>
更新時(shí)間:2025-07-10
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div>
更新時(shí)間:2025-07-10
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div>
更新時(shí)間:2025-07-10
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長(zhǎng)320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時(shí)間:2025-07-10
工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100mhz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時(shí)間:2025-07-10
峰值波長(zhǎng)λp：3.35μm 截止波長(zhǎng)λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測(cè)率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時(shí)間:2025-07-10
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 2-5.5μm；峰值波長(zhǎng) 2.9μm；相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時(shí)間:2025-07-10
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 800-1800nm；響應(yīng)度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時(shí)間:2025-07-10
材料：ingaas 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時(shí)間:2025-07-10
190～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；
更新時(shí)間:2025-07-10
190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；
更新時(shí)間:2025-07-10
400-900nm超快光電探測(cè)器我們的<10 ghz 光電探測(cè)器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。 當(dāng)端接到示波器的 50 ω 電阻時(shí)，可以測(cè)量激光的脈沖寬度。當(dāng)端接到頻譜分析儀的 50 ω 電阻時(shí)，可以測(cè)量激光器的頻率響應(yīng)。
更新時(shí)間:2025-07-10
工作波長(zhǎng)范圍 1000-1650nm；電壓響應(yīng)度 2 mv/w；-3db帶寬 2mhz；飽和輸入光功率 -30dbm
更新時(shí)間:2025-07-10
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-07-10
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時(shí)間:2025-07-10
ingaas 雪崩單元探測(cè)器 apd-1g-a雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲apd探測(cè)器、低噪聲寬帶 跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、apd溫度補(bǔ)償；
更新時(shí)間:2025-07-10
波長(zhǎng): 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測(cè)器響應(yīng)度 0.95@1550nm aw
更新時(shí)間:2025-07-10
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時(shí)間:2025-07-10
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時(shí)間:2025-07-10
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-07-10
工作波長(zhǎng) 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應(yīng)度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時(shí)間:2025-07-10
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時(shí)間:2025-07-10
器件類型 ingaas apd；工作波長(zhǎng) 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測(cè)效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時(shí)間:2025-07-10
探測(cè)器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時(shí)間:2025-07-10
terasense的超快探測(cè)器ultrafast，通過直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實(shí)響應(yīng)時(shí)間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測(cè)器，其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時(shí)間。測(cè)量的短響應(yīng)時(shí)間使得我們的探測(cè)器可以直接研究thz科學(xué)和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時(shí)間:2025-07-10
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