其他產(chǎn)品及廠家

中紅外MIR光電探測器 2.6-4.6um (TO-18 光敏直徑0.5mm)
中紅外mir光電探測器 2.6-4.6um (to-18 光敏直徑0.5mm)led microsensor nt 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電二極管,具有更高的響應(yīng)度(高達(dá) 3-5 倍)。這允許在不同的氣體、液體和固體傳感和分析應(yīng)用中獲得更高的精度。連同其他優(yōu)勢(緊湊的尺寸、高響應(yīng)速度),我們的光電二極管成為傳感器和分析儀的更令人印象深刻的元件基礎(chǔ)。
更新時(shí)間:2025-09-01
900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 內(nèi)置TEC制冷型
900-1700nm ingaas蓋革模式雪崩光電二極管 內(nèi)置tec制冷型ingaas 雪崩光電二極管(apd)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。
更新時(shí)間:2025-09-01
D2250-100M 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um
d2250-100m 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um中紅外探測器面臨的max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲,并且它們會從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長檢測器通過使用窄帶和高效的上轉(zhuǎn)換技術(shù)以及低噪聲硅基檢測器來緩解這兩個(gè)限制。
更新時(shí)間:2025-09-01
900-2700nm 大光敏面InGaAs 銦鎵砷光電二極管 φ2mm
900-2700nm 大光敏面ingaas 銦鎵砷光電二極管 φ2mmpl3000系列是一個(gè)全色pin光電二極管,截止波長高達(dá)2700nm。它使用的是ingaas材料,三元化合物半導(dǎo)體ingaas材料用于制作各種光電器件,材料本身性能穩(wěn)定。本系列的設(shè)計(jì)可以用于環(huán)境氣體檢測應(yīng)用,測量co或者co2,它提供優(yōu)良的并聯(lián)電阻與響應(yīng)在寬譜范圍內(nèi)
更新時(shí)間:2025-09-01
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ2mm
900-2600nm 銦鎵砷ingaas pin光電二極管 φ2mmingaas 光電二極管主要用于近紅外探測,具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍(0.5 μm to 2.6 μm)等特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-09-01
電壓前置放大器 VPA
電壓前置放大器 vpa使用這些放大器可以測量z低能量(使用pem 4時(shí)約為10 nj)。由于放大和電容負(fù)載的降低,探測器的靈敏度將顯著提高。放大器的帶寬專門針對此應(yīng)用進(jìn)行了調(diào)整。由于采用模塊化組裝,整個(gè)動(dòng)態(tài)范圍將大幅提升。此外,使用較小的負(fù)載電阻(以提高可能的重復(fù)率)可以補(bǔ)償靈敏度損失。
更新時(shí)間:2025-09-01
電壓前置放大器 VPA
電壓前置放大器 vpa電流前置放大器是實(shí)現(xiàn)入射輻射功率測量的必要條件。該放大器由輸入側(cè)的跨阻放大器集成電路 (ic) 和另外兩個(gè)電壓放大器級組成。此外,還有一些用于降低噪聲和調(diào)節(jié)失調(diào)電壓的附加元件。實(shí)際應(yīng)用中,max. 放大倍數(shù)受截止頻率限制。z高放大倍數(shù)只能在較小的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)。
更新時(shí)間:2025-09-01
光學(xué)掃描振鏡--適用于10mm至20mm孔徑
光學(xué)掃描振鏡--適用于10mm至20mm孔徑saturn 15b 光學(xué)掃描器 專為滿足光孔徑在 10mm 至 20mm 范圍內(nèi)的應(yīng)用需求而設(shè)計(jì),如激光打標(biāo)、激光焊接、通孔鉆孔、選擇性激光燒結(jié)(sls)3d 打印以及大光束激光顯示等。該型號提供多種線圈配置,包括一種具有超低電感和低電阻的配置,專為實(shí)現(xiàn)極快步進(jìn)時(shí)間進(jìn)行優(yōu)化;另一種則具有中等電感和電阻,適用于如激光顯示這類大信號應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-09-01
ARTCAM-992SWIR USB3.0近紅外相機(jī)
artcam-992swir usb3.0近紅外相機(jī)近紅外高靈敏度高分辨率usb3.0 接口設(shè)計(jì)
更新時(shí)間:2025-09-01
WIR銦鎵砷/鎵砷銻相機(jī)
wir銦鎵砷/鎵砷銻相機(jī)
更新時(shí)間:2025-09-01
Powerbox 功率探測器的 USB 接口
powerbox 功率探測器的 usb 接口pyrobox 可直接連接熱釋電能量探測器和計(jì)算機(jī)。其主要特點(diǎn)是能夠輕松地為應(yīng)用程序編程。由于采用 ascii 通信,一個(gè)典型的終端軟件即可控制 pyrobox 并讀取測量值。我們提供適用于大多數(shù)操作系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)程序。
更新時(shí)間:2025-09-01
Pyrobox 帶 USB 輸出接口,用于熱釋電能量探測器
pyrobox 帶 usb 輸出接口,用于熱釋電能量探測器pyrobox 可直接連接熱釋電能量探測器和計(jì)算機(jī)。其主要特點(diǎn)是能夠輕松地為應(yīng)用程序編程。由于采用 ascii 通信,一個(gè)典型的終端軟件即可控制 pyrobox 并讀取測量值。我們提供適用于大多數(shù)操作系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)程序。
更新時(shí)間:2025-09-01
10mm Ge大光敏面探測器(BNC接口輸出)
產(chǎn)品總覽鍺光電二極管通常用于測量近紅外范圍內(nèi)的光功率,尤其是在成本敏感型應(yīng)用或需要大面積探測器的應(yīng)用中。然而,與類似尺寸的 ingaas 探測器相比,鍺探測器的分流電阻較低,暗電流較高,導(dǎo)致整體噪聲水平較高。
更新時(shí)間:2025-09-01
熱釋電能量探測器 PEM HiRep
熱釋電能量探測器 pem hirep這些傳感器采用薄金屬(mc)或黑色吸收(bc)涂層,可加快向傳感元件的熱傳遞,z高重復(fù)率可達(dá) 5000 次 / 秒以上。mc 型傳感器的光譜特性在可見光(vis)和近紅外(nir)區(qū)域表現(xiàn)平坦,但對于較長波長需考慮其吸收特性
更新時(shí)間:2025-09-01
中紅外MIR光電探測器 2.6-4.6um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.5mm)
中紅外mir光電探測器 2.6-4.6um (to-18 pd內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.5mm)led microsensor nt 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電二極管,具有更高的響應(yīng)度(高達(dá) 3-5 倍)。這允許在不同的氣體、液體和固體傳感和分析應(yīng)用中獲得更高的精度。連同其他優(yōu)勢(緊湊的尺寸、高響應(yīng)速度),我們的光電二極管成為傳感器和分析儀的更令人印象深刻的元件基礎(chǔ)。
更新時(shí)間:2025-09-01
OEM 通用能量傳感器
oem 通用能量傳感器這些傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域是激光器內(nèi)部能量測量。同軸傳感器靈敏度高,可在較寬的波長范圍內(nèi)使用。傳感器直徑在 4 至 34 mm之間。max. 重復(fù)率取決于傳感器直徑和所用的負(fù)載電阻。用作激光監(jiān)測器的熱釋電傳感器,可安裝在激光器內(nèi)部或其獨(dú)立外殼中。
更新時(shí)間:2025-09-01
OEM 通用能量傳感器
oem 通用能量傳感器這些傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域是激光器內(nèi)部能量測量。同軸傳感器靈敏度高,可在較寬的波長范圍內(nèi)使用。傳感器直徑在 4 至 34 mm之間。max. 重復(fù)率取決于傳感器直徑和所用的負(fù)載電阻。用作激光監(jiān)測器的熱釋電傳感器,可安裝在激光器內(nèi)部或其獨(dú)立外殼中。
更新時(shí)間:2025-09-01
中紅外MIR光電探測器 2.0-3.8um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.3mm)
中紅外mir光電探測器 2.0-3.8um (to-18 pd內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.3mm)led microsensor nt 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電二極管,具有更高的響應(yīng)度(高達(dá) 3-5 倍)。這允許在不同的氣體、液體和固體傳感和分析應(yīng)用中獲得更高的精度。連同其他優(yōu)勢(緊湊的尺寸、高響應(yīng)速度),我們的光電二極管成為傳感器和分析儀的更令人印象深刻的元件基礎(chǔ)。
更新時(shí)間:2025-09-01
D2250-2M 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um
d2250-2m 超快窄帶單波長紅外探測器 2.2-5.0um中紅外探測器面臨的max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲,并且它們會從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長檢測器通過使用窄帶和高效的上轉(zhuǎn)換技術(shù)以及低噪聲硅基檢測器來緩解這兩個(gè)限制。
更新時(shí)間:2025-09-01
400-1100nm Si雪崩平衡探測器 2GHz
400-1100nm si雪崩平衡探測器 2ghzsi雪崩平衡探測模塊集成了低噪聲apd探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 apd 溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;apd溫度補(bǔ)償提高探測模塊的穩(wěn)定性。
更新時(shí)間:2025-09-01
Si雪崩單元探測器 2GHz 400-1100nm FC/APC
si雪崩單元探測器 2ghz 400-1100nm fc/apcsi雪崩單元探測模塊集成了低噪聲apd探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、apd溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;apd溫度補(bǔ)償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)
更新時(shí)間:2025-09-01
能量探測器系列 PEM USB
能量探測器系列 pem usbpem45kusb 與 pem45usb 熱釋電探測頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 usb 接口的讀出電路。可通過 bnc 接口連接示波器,或利用 usb 端口接入計(jì)算機(jī)。在 usb 模式下,bnc 接口作為外部觸發(fā)輸入端。輸出信號通過 usb 傳輸至連接的計(jì)算機(jī),設(shè)備由 usb 端口供電。
更新時(shí)間:2025-09-01
Si雪崩單元探測器 100MHz 400-1100nm FC/APC
si雪崩單元探測器 100mhz 400-1100nm fc/apcsi雪崩單元探測模塊集成了低噪聲apd探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、apd溫度補(bǔ)償;隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響;apd溫度補(bǔ)償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)
更新時(shí)間:2025-09-01
熱釋電能量探測器 PEM HiRep
熱釋電能量探測器 pem hirep這些傳感器采用薄金屬(mc)或黑色吸收(bc)涂層,可加快向傳感元件的熱傳遞,z高重復(fù)率可達(dá) 5000 次 / 秒以上。mc 型傳感器的光譜特性在可見光(vis)和近紅外(nir)區(qū)域表現(xiàn)平坦,但對于較長波長需考慮其吸收特性
更新時(shí)間:2025-09-01
ARTCAM-993SWIR-TEC  USB3.0 輸出近紅外(InGaAs)相機(jī)
artcam-993swir-tec usb3.0 輸出近紅外(ingaas)相機(jī)該產(chǎn)品采用了在包括可見光區(qū)域在內(nèi)的 400~1700nm 近紅外區(qū)域具有高靈敏度ingaa圖像傳感器。能夠?qū)⑷搜垡约捌胀?ccd/cmos 相機(jī)難以拍攝的物體可視化。作為一款 ingaas 傳感器,其具備高分辨率,可達(dá) 2048×1536 像素,且能夠以z高 93 幀 / 秒(fps)的速率進(jìn)行圖像采集。
更新時(shí)間:2025-09-01
400-1100nm放大型固定增益硅光電探測器
400-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外,還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-09-01
寬帶吸收涂層熱釋電探測器
寬帶吸收涂層熱釋電探測器探測器表面鍍有黑色吸光涂層,該涂層在185納米至25微米波長范圍內(nèi)具有近乎恒定的吸收率。本系列探測器的顯著優(yōu)勢在于其較高的靈敏度特性——無需外接放大器即可實(shí)現(xiàn)μj級激光脈沖測量,并具備的抗干擾能力。
更新時(shí)間:2025-09-01
能量探測器系列 PEM USB
能量探測器系列 pem usbpem45kusb 與 pem45usb 熱釋電探測頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 usb 接口的讀出電路?赏ㄟ^ bnc 接口連接示波器,或利用 usb 端口接入計(jì)算機(jī)。在 usb 模式下,bnc 接口作為外部觸發(fā)輸入端。輸出信號通過 usb 傳輸至連接的計(jì)算機(jī),設(shè)備由 usb 端口供電
更新時(shí)間:2025-09-01
能量探測器系列 PEM HP 型
能量探測器系列 pem hp 型與本公司的 pem standard 系列探測器不同,本系列探測器專為更高的平均功率密度和更高的平均功率應(yīng)用場景而設(shè)計(jì)。在吸收涂層方面,我們采用經(jīng)實(shí)踐驗(yàn)證的黑色涂層,該涂層在寬波長范圍內(nèi)具備很高且平坦的吸收特性 。
更新時(shí)間:2025-09-01
線性偏振最大化器/發(fā)生器
線性偏振最大化器/發(fā)生器cube-pm100 是一款電動(dòng)線性偏振發(fā)生器,可將輸入的寬帶光轉(zhuǎn)換為高線性偏振光(per > 50db),并將其耦合到自由空間中的保偏光纖中。電機(jī)可以精細(xì)調(diào)整線性偏振光與保偏光纖軸之間的角度,以實(shí)現(xiàn)超過 46 db 的max. per。
更新時(shí)間:2025-09-01
800~1700nm偏壓型銦鎵砷光電探測器-常規(guī)型
800~1700nm偏壓型銦鎵砷光電探測器-常規(guī)型我們的銦鎵砷探測器 ,感光范圍覆蓋800~1700nm, 常用于可見 光與紅外光測量;偏壓型探測器,極低噪聲,快速響應(yīng),無增益,低成本 ,適用于常規(guī)光電探測應(yīng)用
更新時(shí)間:2025-09-01
 CVD金剛石高功率CO2激光器窗片體吸收<0.1/cm 楔形<5arcmin
微波等離子體cvd金剛石圓片:摻硼盤(藍(lán)色)、光學(xué)金剛石、機(jī)械、未拋光盤。cvd金剛石重要的性能是無與倫比的硬度,高的導(dǎo)熱系數(shù)(>1800 w/mk,是銅的五倍)。寬帶光學(xué)透明度,度化學(xué)惰性,不受任何酸或其他化學(xué)物質(zhì)的影響。僅在非常高的溫度下(t>700°c,含氧環(huán)境下)石墨化,在惰性環(huán)境中為1500℃)。
更新時(shí)間:2025-09-01
PB1319光纖耦合太赫茲光混頻器
pb1319系列太赫茲光混頻器在一個(gè)實(shí)用、堅(jiān)固、光纖耦合的封裝中提供成熟的低溫砷化鎵半導(dǎo)體技術(shù)。
更新時(shí)間:2025-09-01
 太赫茲光導(dǎo)天線 激光波長1540nm-1560nm 平均光功率1mW-15mW
t-era-20d-1550-air太赫茲光電導(dǎo)天線(thz-pca)用于在thz時(shí)域系統(tǒng)中生成和檢測高功率和寬帶太赫茲脈沖。t-era-20d-1550-air thz-pca是在高阻超快外延生長的多量子阱ingaas-inalas襯底上制成的,并包裝在tetechs正在申請zhuan利的thz芯片外殼模塊中。外殼模塊容納thz-pca,并在thz-pca芯片的背面安裝了準(zhǔn)直的高電阻硅透鏡。
更新時(shí)間:2025-09-01
微納光纖定制加工
產(chǎn)品總覽微納光纖是一種直徑接近或小于傳輸光波長的波導(dǎo),由物理拉伸方法制得,具有表面光滑、直徑均勻性好、機(jī)械性能高、強(qiáng)光場約束、強(qiáng)倏逝場、表面場增強(qiáng)效應(yīng)及反常波導(dǎo)色散等特性,在光通信、激光、傳感檢測、非線性光學(xué)、量子光學(xué)等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。
更新時(shí)間:2025-09-01
 干涉型單模微納光纖傳感器 工作波長1270-2000nm
工作波長 1270-2000nm;雙錐形光纖腰椎直徑 800nm;錐形光纖腰椎寬度 2mm;附加損耗 ≤7db;包層直徑 125um;光纖類型 smf-28e;連接頭類型 fc/apc
更新時(shí)間:2025-09-01
 光纖端面帶通濾波鍍膜 CWL 760±7nm HW:37±7nm
cwl: 760 ±7 nm;hw: 37 ±7 nm;tmin: 60 %;blocking: 1200 nm
更新時(shí)間:2025-09-01
 邊拋光纖/D型光纖定制加工 工作波長430-2000nm 邊拋長度17mm
工作波長430-2000nm,邊拋長度 17mm,1米長尾纖,900um松套管,smf-28e光纖,c/apc or fc/pc接頭
更新時(shí)間:2025-09-01
 MFD模場直徑匹配光纖定制加工 工作波長430-2000nm 附加損耗<0.2dB
工作波長 430-2000nm;附加損耗 <0.2db;消光比 >20db;拋長度 17mm;光纖類型 smf-28e;連接頭類型 fc/apc
更新時(shí)間:2025-09-01
 光學(xué)元件鍍膜 鍍膜波長430-2000nm 鍍膜類型HR/AR
鍍膜波長 430-2000nm;鍍膜類型 hr/ar;反射率/透射率要求 0.1-99.9%;支持鍍膜材料 窗片、透鏡、光纖端面(帶陶瓷插芯);支持光學(xué)元件設(shè)計(jì)加工
更新時(shí)間:2025-09-01
 中紅外加工鍍膜服務(wù) 反射率99% 鍍膜波長2000-5500nm
中紅外定制鍍膜服務(wù)(以1inch窗片為例,每次多鍍膜24pcs)
更新時(shí)間:2025-09-01
 中紅外光學(xué)鍍膜 XP-BAR鍍膜
為紅外光譜區(qū)域設(shè)計(jì)包括:分束器鍍膜;防反射鍍膜;帶通鍍膜;反射鍍膜;保護(hù)鍍膜;連接鍍膜(具體見訂購消息)
更新時(shí)間:2025-09-01
 中紅外5米光程簡波寬帶氣室 2-12um
波長范圍 2~12um;有效光程 5m;輸入大光功率 500mw;插入損耗 ≤5db;材質(zhì) 316l;氣體口直徑 6mm;空間光接入
更新時(shí)間:2025-09-01
 中空光纖式氣體吸收池 光程長范圍0.1-5m 體積小巧 靈活布局
• 其簡單和穩(wěn)固的對齊方式 • 波長范圍:紫外到長波紅外 • 光程長范圍:0.1至5m • 低樣品量:< 10ml • 體積小巧;靈活布局
更新時(shí)間:2025-09-01
 TDLAS分析綜合控制器 1.0A 3.3V
14引腳蝶形封裝激光器;大驅(qū)動(dòng)電流 1.0a ;大驅(qū)動(dòng)電壓 3.3v;溫控范圍 -10 ~ 50℃ (不包括激光器) pl-tdlas-14-1 其中14:14引腳蝶形封裝激光器 1:大驅(qū)動(dòng)電流1a
更新時(shí)間:2025-09-01
 TDLAS控制板/FPGA全數(shù)字設(shè)計(jì) 激光電流0-200mA
1f 調(diào)制頻率 31.4 khz正弦波;輸出信號范圍 0-5v (triggers = 3.3v lvttl);輸出信號分辨率 16 bits 模擬 r/c;激光電流范圍 0 - 200 ma (custom avail.);兼容的探測器 ingaas, insb, si, 可定制
更新時(shí)間:2025-09-01
 C波段波長校準(zhǔn)器 C2H2乙炔氣體吸收池 波長1510-1540nm
波長范圍 nm 1510 to 1540, 波長精度2 pm < ± 0.3pm (擴(kuò)展不確定度)
更新時(shí)間:2025-09-01
 7.4umQCL結(jié)合空芯光纖氣室氣體分析系統(tǒng) 分析空氣中H2O
產(chǎn)品清單:7.4um中紅外量子聯(lián)激光器, 5米長光程小型化mini中紅外空芯光纖氣體吸收池, 2-15um碲鎘汞(mct)中紅外光電探測器, 含操作軟件,產(chǎn)品操作手冊
更新時(shí)間:2025-09-01
 7.4umQCL結(jié)合空芯光纖氣體吸收池分析系統(tǒng)
產(chǎn)品清單 7.4um中紅外量子聯(lián)激光器 ,中空光纖式氣體吸收池 光程范圍:0.1至5m, 2-15um碲鎘汞(mct)中紅外光電探測器
更新時(shí)間:2025-09-01
 5米長光程小型化Mini中紅外氣體吸收池 波長3-12um
有效光程 5m;波長范圍 3-12um;輸出發(fā)散角 30mrad;操作大氣壓 0.01-1atm
更新時(shí)間:2025-09-01

最新產(chǎn)品

熱門儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)(PH計(jì)) 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑