沿<011>區(qū)域軸觀察單晶硅的菊池圖案。這個(gè)數(shù)字中心的寬帶在[200]kikuchi線之間。該標(biāo)樣晶格常數(shù)可溯源,適合tem各種主要的校準(zhǔn),包括各種tem放大倍數(shù)相機(jī)長(zhǎng)度圖像/衍射花樣旋轉(zhuǎn)包含來(lái)自于mbe生長(zhǎng)單晶半導(dǎo)體圓片、對(duì)電子透明的tem切片樣品。在tem下,會(huì)出現(xiàn)一系列的明暗層,而每層的厚度是已知的。明層(si層)及暗層(sige合金層)厚度的測(cè)量基于細(xì)致的<1 1 1>si晶面間距的測(cè)量,它在標(biāo)樣本身上是可見(jiàn)的,同時(shí)可依賴x射線衍射測(cè)定。所設(shè)計(jì)的晶面間距可用于校準(zhǔn)1,000x至1,000,000x間tem的各種放大倍數(shù)。由于標(biāo)樣亦為單晶硅,因而容易清楚無(wú)誤地得到校準(zhǔn)所需的諸如相機(jī)長(zhǎng)度以及圖像/衍射旋轉(zhuǎn)的電子衍射信息。<1 1 1>硅的晶格常數(shù)(0.3135428nm)是直接可溯源的。
更新時(shí)間:2025-07-08